DMN3016LDV-13 Preise (USD) [326859Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN3016LDV-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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DMN3016LDV-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN3016LDV-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
-
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1184pF @ 15V
Leistung max :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
PowerDI3333-8
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