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- Artikelnummer:
- BA158G R1G
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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BA158G R1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BA158G R1G
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 1A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package :
DO-204AL (DO-41)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
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