Infineon Technologies - IRG7CH50K10EF

KEY Part #: K6421866

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Artikelnummer:
IRG7CH50K10EF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT CHIP WAFER.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - JFETs ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRG7CH50K10EF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRG7CH50K10EF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT CHIP WAFER
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : -
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 25A
Leistung max : -
Energie wechseln : -
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 50ns/280ns
Testbedingung : 600V, 35A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Die