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GeneSiC Semiconductor - MBRTA40030RL

KEY Part #: K6475812

[5973Stück Lager]

    Artikelnummer:
    MBRTA40030RL
    Hersteller:
    GeneSiC Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE SCHOTTKY 30V 200A 3TOWER.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MBRTA40030RL elektronische Komponenten. MBRTA40030RL kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MBRTA40030RL haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MBRTA40030RL Produkteigenschaften

    Artikelnummer : MBRTA40030RL
    Hersteller : GeneSiC Semiconductor
    Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 30V 200A 3TOWER
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
    Diodentyp : Schottky
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 30V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 200A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 580mV @ 200A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : -
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 3mA @ 30V
    Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
    Befestigungsart : Chassis Mount
    Paket / fall : Three Tower
    Supplier Device Package : Three Tower
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