Nexperia USA Inc. - BAS316,115

KEY Part #: K6457435

BAS316,115 Preise (USD) [2319479Stück Lager]

  • 1 pcs$0.01605
  • 3,000 pcs$0.01597
  • 6,000 pcs$0.01441
  • 15,000 pcs$0.01253
  • 30,000 pcs$0.01128
  • 75,000 pcs$0.01002
  • 150,000 pcs$0.00833

Artikelnummer:
BAS316,115
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 250mA
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Brückengleichrichter and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. BAS316,115 elektronische Komponenten. BAS316,115 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BAS316,115 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS316,115 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BAS316,115
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
Serie : Automotive, AEC-Q101, BAS16
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 250mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 80V
Kapazität @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SC-76, SOD-323
Supplier Device Package : SOD-323
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)

Sie könnten auch interessiert sein an
  • ES1D-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt

  • US1M-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt

  • ES2CHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,150V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • ES2AHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • ES2BHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • MURS120HE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 1A,200V,25ns SMB, UF Rect, SMD