Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10KHE3_A/I

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Artikelnummer:
BYG10KHE3_A/I
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214. Rectifiers 1.5A,800V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10KHE3_A/I elektronische Komponenten. BYG10KHE3_A/I kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BYG10KHE3_A/I haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10KHE3_A/I Produkteigenschaften

Artikelnummer : BYG10KHE3_A/I
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Avalanche
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 1.5A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 4µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AC, SMA
Supplier Device Package : DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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