VS-HFA08TB120SR-M3 Preise (USD) [94052Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- VS-HFA08TB120SR-M3
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE ARRAY GP 1200V 8A D2PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1200V 8A IF TO-220AC 130A IFSM
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Single, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA08TB120SR-M3 elektronische Komponenten. VS-HFA08TB120SR-M3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VS-HFA08TB120SR-M3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
VS-HFA08TB120SR-M3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
VS-HFA08TB120SR-M3
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE ARRAY GP 1200V 8A D2PAK
Serie :
HEXFRED®
Teilestatus :
Active
Diodenkonfiguration :
-
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) :
-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
4.3V @ 16A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
95ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
TO-263AB (D²PAK)
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