Infineon Technologies - FS75R07N2E4B11BOSA1

KEY Part #: K6533270

FS75R07N2E4B11BOSA1 Preise (USD) [1222Stück Lager]

  • 1 pcs$35.41110

Artikelnummer:
FS75R07N2E4B11BOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Leistungstreibermodule, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS75R07N2E4B11BOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FS75R07N2E4B11BOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 75A
Leistung max : 250W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 4.6nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

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