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- Artikelnummer:
- 1N4448,143
- Hersteller:
- NXP USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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1N4448,143 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
1N4448,143
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1V @ 100mA
Geschwindigkeit :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) :
4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
25nA @ 20V
Kapazität @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package :
ALF2
Betriebstemperatur - Übergang :
200°C (Max)
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