DMN31D5UFZ-7B Preise (USD) [868351Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN31D5UFZ-7B
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMN31D5UFZ-7B Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN31D5UFZ-7B
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
220mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.35nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
22.2pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
393mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
X2-DFN0606-3
Paket / fall :
3-XFDFN
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