Infineon Technologies - BAT1502LRHE6327XTSA1

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Artikelnummer:
BAT1502LRHE6327XTSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
RF DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP2. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Diodes 4V 110mA
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAT1502LRHE6327XTSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BAT1502LRHE6327XTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : RF DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP2
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Schottky - Single
Spannung - Peak Reverse (Max) : 4V
Strom - max : 110mA
Kapazität @ Vr, F : 0.35pF @ 0V, 1MHz
Widerstand @ If, F : -
Verlustleistung (max.) : 100mW
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Paket / fall : SOD-882
Supplier Device Package : PG-TSLP-2

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