Vishay Semiconductor Diodes Division - AR3PGHM3/86A

KEY Part #: K6445439

[2107Stück Lager]


    Artikelnummer:
    AR3PGHM3/86A
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE AVALANCHE 400V 1.8A TO277A.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division AR3PGHM3/86A elektronische Komponenten. AR3PGHM3/86A kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu AR3PGHM3/86A haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    AR3PGHM3/86A Produkteigenschaften

    Artikelnummer : AR3PGHM3/86A
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : DIODE AVALANCHE 400V 1.8A TO277A
    Serie : eSMP®
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    Diodentyp : Avalanche
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 400V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.8A (DC)
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 3A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 140ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 400V
    Kapazität @ Vr, F : 44pF @ 4V, 1MHz
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : TO-277, 3-PowerDFN
    Supplier Device Package : TO-277A (SMPC)
    Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

    Sie könnten auch interessiert sein an
    • C2D05120E

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

    • VS-20ETF04FPPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

    • IDB23E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

    • IDB12E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

    • VS-80EPS08PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

    • VS-80EPF12PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.