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- Artikelnummer:
- BST72A,112
- Hersteller:
- NXP USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf NXP USA Inc. BST72A,112 elektronische Komponenten. BST72A,112 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BST72A,112 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BST72A,112 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BST72A,112
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
190mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
40pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
830mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-92-3
Paket / fall :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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