DF23MR12W1M1B11BOMA1 Preise (USD) [998Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DF23MR12W1M1B11BOMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET MODULE 1200V 25A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BOMA1 elektronische Komponenten. DF23MR12W1M1B11BOMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DF23MR12W1M1B11BOMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET MODULE 1200V 25A
Serie :
CoolSiC™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 25A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
620nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 800V
Leistung max :
20mW
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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