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GeneSiC Semiconductor - MBR600100CTR

KEY Part #: K6468620

MBR600100CTR Preise (USD) [969Stück Lager]

  • 1 pcs$47.90423
  • 25 pcs$37.09736
Artikelnummer:
MBR600100CTR
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A100P/70R
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Thyristoren - SCRs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MBR600100CTR elektronische Komponenten. MBR600100CTR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MBR600100CTR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR600100CTR Produkteigenschaften

Artikelnummer : MBR600100CTR
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 300A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 880mV @ 300A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1mA @ 20V
Betriebstemperatur - Übergang : -
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Twin Tower
Supplier Device Package : Twin Tower
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