IPU60R1K5CEAKMA1 Preise (USD) [2713Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPU60R1K5CEAKMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V TO-251-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPU60R1K5CEAKMA1 elektronische Komponenten. IPU60R1K5CEAKMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPU60R1K5CEAKMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPU60R1K5CEAKMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPU60R1K5CEAKMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
Serie :
CoolMOS™ CE
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.4nC @ 10V
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
200pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO251-3
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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