IPB60R190P6ATMA1 Preise (USD) [8794Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB60R190P6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V TO263-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB60R190P6ATMA1 elektronische Komponenten. IPB60R190P6ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB60R190P6ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB60R190P6ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB60R190P6ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V TO263-3
Serie :
CoolMOS™ P6
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 630µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
37nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1750pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
151W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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