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- Artikelnummer:
- IXTM67N10
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- POWER MOSFET TO-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTM67N10 elektronische Komponenten. IXTM67N10 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTM67N10 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTM67N10 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTM67N10
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
POWER MOSFET TO-3
Serie :
GigaMOS™
Teilestatus :
Last Time Buy
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
67A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
260nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4500pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-204AE
Paket / fall :
TO-204AE
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