Artikelnummer :
2SK2917(F)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3720pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
90W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3P(N)IS
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3