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- Artikelnummer:
- IPD50N06S4L08ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD50N06S4L08ATMA1 elektronische Komponenten. IPD50N06S4L08ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD50N06S4L08ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD50N06S4L08ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD50N06S4L08ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 35µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4780pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
71W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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