Vishay Semiconductor Diodes Division - BAQ35-GS18

KEY Part #: K6458532

BAQ35-GS18 Preise (USD) [1964736Stück Lager]

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Artikelnummer:
BAQ35-GS18
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 125 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division BAQ35-GS18 elektronische Komponenten. BAQ35-GS18 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BAQ35-GS18 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAQ35-GS18 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BAQ35-GS18
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 125V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 100mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1nA @ 60V
Kapazität @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Supplier Device Package : SOD-80 MiniMELF
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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