Rohm Semiconductor - RSS110N03TB

KEY Part #: K6412315

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    Artikelnummer:
    RSS110N03TB
    Hersteller:
    Rohm Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Arrays, Leistungstreibermodule, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor RSS110N03TB elektronische Komponenten. RSS110N03TB kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RSS110N03TB haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RSS110N03TB Produkteigenschaften

    Artikelnummer : RSS110N03TB
    Hersteller : Rohm Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.7 mOhm @ 11A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 5V
    Vgs (Max) : 20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 10V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : 8-SOP
    Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)