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- Artikelnummer:
- FQPF10N60C_F105
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IC POWER MANAGEMENT.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
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FQPF10N60C_F105 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQPF10N60C_F105
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IC POWER MANAGEMENT
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
730 mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
57nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2040pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
50W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220F
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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