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- Artikelnummer:
- IPD60R450E6BTMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Brückengleichrichter and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD60R450E6BTMA1 elektronische Komponenten. IPD60R450E6BTMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD60R450E6BTMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD60R450E6BTMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD60R450E6BTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 280µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
620pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
74W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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