Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 80A TO218
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
80A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.6V @ 80A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
85ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
250µA @ 600V
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-218
Betriebstemperatur - Übergang :
-