ON Semiconductor - FCP104N60F

KEY Part #: K6416740

FCP104N60F Preise (USD) [17950Stück Lager]

  • 1 pcs$2.29605
  • 800 pcs$1.90913

Artikelnummer:
FCP104N60F
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V TO-220.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP104N60F Produkteigenschaften

Artikelnummer : FCP104N60F
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V TO-220
Serie : HiPerFET™, Polar™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 37A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 145nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6130pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 357W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3

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