IXFH86N30T Preise (USD) [14035Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFH86N30T
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 300V 86A TO-247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFH86N30T elektronische Komponenten. IXFH86N30T kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFH86N30T haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFH86N30T Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFH86N30T
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 300V 86A TO-247
Serie :
HiPerFET™, TrenchT2™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
86A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
43 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
11300pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
860W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247AD (IXFH)
Paket / fall :
TO-247-3
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