NVMFS6B75NLWFT3G Preise (USD) [8826Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NVMFS6B75NLWFT3G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NVMFS6B75NLWFT3G elektronische Komponenten. NVMFS6B75NLWFT3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NVMFS6B75NLWFT3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NVMFS6B75NLWFT3G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NVMFS6B75NLWFT3G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7A (Ta), 28A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
740pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.5W (Ta), 56W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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