IPG20N06S4L14ATMA2 Preise (USD) [148419Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPG20N06S4L14ATMA2
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 8TDSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPG20N06S4L14ATMA2 elektronische Komponenten. IPG20N06S4L14ATMA2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPG20N06S4L14ATMA2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPG20N06S4L14ATMA2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPG20N06S4L14ATMA2
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.7 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2890pF @ 25V
Leistung max :
50W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8-4
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