Artikelnummer :
PMDPB65UP,115
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 10V
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package :
DFN2020-6