Infineon Technologies - IRF6702M2DTR1PBF

KEY Part #: K6524065

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    Artikelnummer:
    IRF6702M2DTR1PBF
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - RF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF6702M2DTR1PBF elektronische Komponenten. IRF6702M2DTR1PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF6702M2DTR1PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF6702M2DTR1PBF Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRF6702M2DTR1PBF
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
    FET-Funktion : Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.6 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1380pF @ 15V
    Leistung max : 2.7W
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : DirectFET™ Isometric MA
    Supplier Device Package : DIRECTFET™ MA

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