IPW65R190C7XKSA1 Preise (USD) [31827Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPW65R190C7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPW65R190C7XKSA1 elektronische Komponenten. IPW65R190C7XKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPW65R190C7XKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPW65R190C7XKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPW65R190C7XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
Serie :
CoolMOS™ C7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 290µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1150pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
72W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO247-3
Paket / fall :
TO-247-3
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