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- Artikelnummer:
- SPN04N60S5
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 0.8A SOT-223.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPN04N60S5 elektronische Komponenten. SPN04N60S5 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPN04N60S5 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SPN04N60S5 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPN04N60S5
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 0.8A SOT-223
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
800mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
600pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT223-4
Paket / fall :
TO-261-4, TO-261AA
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