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- Artikelnummer:
- GP1M004A090H
- Hersteller:
- Global Power Technologies Group
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 900V 4A TO220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - RF, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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GP1M004A090H Produkteigenschaften
Artikelnummer :
GP1M004A090H
Hersteller :
Global Power Technologies Group
Beschreibung :
MOSFET N-CH 900V 4A TO220
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
955pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
123W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220
Paket / fall :
TO-220-3
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