Infineon Technologies - IDH20G120C5XKSA1

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Artikelnummer:
IDH20G120C5XKSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 56A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IDH20G120C5XKSA1 elektronische Komponenten. IDH20G120C5XKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IDH20G120C5XKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDH20G120C5XKSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IDH20G120C5XKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 56A TO220-2
Serie : CoolSiC™
Teilestatus : Active
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 56A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 20A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 123µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : 1050pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2
Supplier Device Package : PG-TO220-2-1
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

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