IPS65R600E6AKMA1 Preise (USD) [127686Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPS65R600E6AKMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V TO-251-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPS65R600E6AKMA1 elektronische Komponenten. IPS65R600E6AKMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPS65R600E6AKMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPS65R600E6AKMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPS65R600E6AKMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
Serie :
CoolMOS™ E6
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 210µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
63W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO251-3
Paket / fall :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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