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ON Semiconductor - FDP16N50

KEY Part #: K6410015

[82Stück Lager]

    Artikelnummer:
    FDP16N50
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 500V 16A TO-220.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - RF and Transistoren - IGBTs - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDP16N50 elektronische Komponenten. FDP16N50 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDP16N50 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDP16N50 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FDP16N50
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
    Serie : UniFET™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1945pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 200W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220-3
    Paket / fall : TO-220-3

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