NXP USA Inc. - BUK652R0-30C,127

KEY Part #: K6415320

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    Artikelnummer:
    BUK652R0-30C,127
    Hersteller:
    NXP USA Inc.
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf NXP USA Inc. BUK652R0-30C,127 elektronische Komponenten. BUK652R0-30C,127 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BUK652R0-30C,127 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK652R0-30C,127 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BUK652R0-30C,127
    Hersteller : NXP USA Inc.
    Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
    Serie : TrenchMOS™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 229nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±16V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 14964pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 306W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220AB
    Paket / fall : TO-220-3