FDB13AN06A0 Preise (USD) [80746Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDB13AN06A0
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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FDB13AN06A0 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDB13AN06A0
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10.9A (Ta), 62A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.5 mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
115W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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