Toshiba Semiconductor and Storage - TK20S06K3L(T6L1,NQ

KEY Part #: K6420402

TK20S06K3L(T6L1,NQ Preise (USD) [190859Stück Lager]

  • 1 pcs$0.21424
  • 2,000 pcs$0.21317

Artikelnummer:
TK20S06K3L(T6L1,NQ
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Module and Thyristoren - TRIACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TK20S06K3L(T6L1,NQ elektronische Komponenten. TK20S06K3L(T6L1,NQ kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TK20S06K3L(T6L1,NQ haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK20S06K3L(T6L1,NQ Produkteigenschaften

Artikelnummer : TK20S06K3L(T6L1,NQ
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 20A DPAK-3
Serie : U-MOSIV
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 780pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 38W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK+
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Sie könnten auch interessiert sein an