Artikelnummer :
TK35S04K3L(T6L1,NQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
35A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.3 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1370pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
58W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK+
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63