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- Artikelnummer:
- APTM100VDA35T3G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Dioden - RF, Dioden - Zener - Arrays and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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APTM100VDA35T3G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTM100VDA35T3G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Serie :
POWER MOS 7®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
186nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5200pF @ 25V
Leistung max :
390W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP3
Supplier Device Package :
SP3
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