FDC3601N Preise (USD) [375377Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDC3601N
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDC3601N elektronische Komponenten. FDC3601N kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDC3601N haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDC3601N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDC3601N
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
153pF @ 50V
Leistung max :
700mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package :
SuperSOT™-6
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