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- Artikelnummer:
- TPC8213-H(TE12LQ,M
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
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TPC8213-H(TE12LQ,M Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPC8213-H(TE12LQ,M
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
625pF @ 10V
Leistung max :
450mW
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOP (5.5x6.0)
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