IXYS - IXFK170N10P

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IXFK170N10P Preise (USD) [11098Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXFK170N10P
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 170A TO-264.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFK170N10P elektronische Komponenten. IXFK170N10P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFK170N10P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFK170N10P Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFK170N10P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
Serie : HiPerFET™, PolarP2™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 170A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 198nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 715W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-264AA (IXFK)
Paket / fall : TO-264-3, TO-264AA

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