BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Preise (USD) [1642Stück Lager]
- 1 pcs$26.36640
- Artikelnummer:
- BSM10GD120DN2E3224BOSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSM10GD120DN2E3224BOSA1 elektronische Komponenten. BSM10GD120DN2E3224BOSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSM10GD120DN2E3224BOSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Full Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
15A
Leistung max :
80W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3.2V @ 15V, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
400µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
530pF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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