ON Semiconductor - NTB13N10T4G

KEY Part #: K6411383

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    Artikelnummer:
    NTB13N10T4G
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NTB13N10T4G elektronische Komponenten. NTB13N10T4G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NTB13N10T4G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTB13N10T4G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : NTB13N10T4G
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 6.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 64.7W (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : D2PAK
    Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB