STMicroelectronics - STP80N20M5

KEY Part #: K6415434

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    Artikelnummer:
    STP80N20M5
    Hersteller:
    STMicroelectronics
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 200V 61A TO-220.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - SCRs - Module and Dioden - RF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STP80N20M5 elektronische Komponenten. STP80N20M5 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STP80N20M5 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STP80N20M5 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : STP80N20M5
    Hersteller : STMicroelectronics
    Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
    Serie : MDmesh™ V
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 61A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 30.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 104nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±25V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4329pF @ 50V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 190W (Tc)
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220AB
    Paket / fall : TO-220-3