IPC30S2SN08NX2MA1 Preise (USD) [36956Stück Lager]
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- 3,000 pcs$0.97067
- Artikelnummer:
- IPC30S2SN08NX2MA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MV POWER MOS.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPC30S2SN08NX2MA1 elektronische Komponenten. IPC30S2SN08NX2MA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPC30S2SN08NX2MA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPC30S2SN08NX2MA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPC30S2SN08NX2MA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MV POWER MOS
Serie :
*
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
-
Technologie :
-
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
-
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
-
Supplier Device Package :
-
Paket / fall :
-
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- BSD314SPEH6327XTSA1