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- Artikelnummer:
- SI7925DN-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI7925DN-T1-E3 elektronische Komponenten. SI7925DN-T1-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI7925DN-T1-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI7925DN-T1-E3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI7925DN-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
1.3W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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